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    中國存儲三大勢力形成,力拼2018年量產

    2016-11-15

    存儲產業在歷經價格血戰成了三強鼎立的寡占市場,中國在市場、國安考量力求在存儲有所突圍,原先的紫光、武漢新芯從各自進擊到合體發展,另外兩組勢力在聯電、中芯老將輔佐下也積極展開布局,中國存儲鐵三角逐步成形。

      紫光集團先前欲并購美光、與SK 海力士談授權最后都無疾而終,最終與獲得中國存儲統籌資源的武漢新芯合并,進一步成立長江存儲公司,由紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長,大基金總經理丁文武出任副董事長,并由原武漢新芯執行長楊士寧出任總經理負責NAND Flash 擘劃,轉戰紫光的前華亞科董事長則任長江存儲營運長重起爐灶籌備DRAM建廠。

      武漢新芯存儲基地已在2016 年3 月底動土,根據科技新報先前取得的消息,新的存儲基地將分三期,總規劃面積約100 萬平方米,一期于8 月開工、預計2018年建設完成,月產能約20 萬片,而官方目標到2020 年基地總產能達30 萬片/月、2030 年來到100 萬片/月。第一步已與NOR 存儲廠商飛索半導體(Spansion)簽訂技術授權,從3D NAND Flash 下手,并預計2017 有能力推出32 層堆疊、2018年推出48 層堆疊3D NAND Flash。在DRAM 進展上與美光洽談技術授權還未有眉目,也有消息指出,高啟全正招兵買馬透過人脈挖角臺灣DRAM 相關人才,或為建廠做準備。

      在DRAM 進展有較大突破的為福建后起勢力,福建省政府在5 月宣布,所投資的晉華集成與聯電簽訂技術合作協定,由聯電接受晉華委托開發DRAM 相關制程技術,生產利基型DRAM,團隊由瑞晶、美光臺灣前總經理、現任聯電資深副總經理陳正坤領軍,在7 月12 吋廠建廠奠基的同時,已在臺灣南科建立小型試產線,據了解初期將導入32 奈米,但最終目標其實放在25 奈米以下制程,以求與其他DRAM 大廠不致有太大落差,初步產能規劃每月6 萬片,估計2017 年底完成技術開發,2018 年9月試產,并在2019 年以前將產線移轉至福建新廠。

      而合肥欲起的DRAM 勢力在前爾必達社長坂本幸雄淡出合肥后,由中國本土NOR Flash 廠商兆易創新(GigaDevice)與中芯國際前執行長王寧國所主導,先前市場傳出兆易創新將與武岳峰等中國基金并購的美國DRAM 廠ISSI 合并,成為長江存儲后,另一家DRAM/NAND Flash 發展兼具的存儲廠商。然目前還未傳出團隊有相關建廠消息。

      除了三廠競逐成為焦點,團隊主導人也頗有淵源,主導合肥團隊的王寧國與長江存儲總經理楊士寧同樣出身中芯國際,先前兩派人馬在中芯斗爭多年甚至躍上新聞版面,如今再度碰頭;而現任長江存儲營運長的高啟全與聯電資深副總經理陳正坤,相繼待過華亞科、美光體系,中國存儲爭戰熟人相爭就看誰能帶領團隊率先出線。

      存儲產業全球現狀

      Memory 作為 IC 領域最重要的一個領域,2014 年銷售規模達到 792 億美元,占到整個半導體市場規模的 23.6%。而目前,這一領域由于其極高的技術壁壘和資本壁壘,在全球形成了極強的寡頭壟斷,三四家廠商壟斷了全球 90%以上的市場,而國內在這一領域還完全是空白。近幾年,Memory 產品受益于移動智能終端快速滲透,帶來對產品需求的高速增長,過去三年復合增長率 18%,遠高于半導體行業整體 7%的增長速度,成為整個半導體產業增長的主要推動力。未來幾年全球 Memory 市場仍有望保持快速增長。1)個人電腦與手機等移動終端的需求旺盛,拉動了 DRAM 產值的大幅增加。2)智能手機與固態硬盤(SSD)將成為 NAND Flash最大需求。3)3D NAND Flash 成為存儲芯片的重要增長點。

    全球 Memory 市場規模巨大,近幾年快速增長

    存儲芯片根據斷電后所儲存的數據是否會丟失,可以分為易失性存儲器(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non-Volatile Memory),其中 DRAM 與 NAND Flash 分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多,但從產值構成來看, DRAM 與 NAND Flash 已經成為存儲芯片產業的主要構成部分。根據IDC 的統計數據,2013 年存儲芯片市場規模接近 690 億美元,而 DRAM 和NAND Flash就占據了約 600 億美元,占比超過85%。

    根據 IHS 的統計,2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場占有率達到 45.2%,SK海力士占有率為 27.3%,第三大廠商美光占有率為 20.4%,前三大龍頭合計市占率達到了 93%。在Nand Flash 市場上,2014 年三星市占率為 36.5%,東芝為 31.8%,海力士為 18.9%,美光為 12.8%,前四家廠商幾乎壟斷整個市場。

    受益于全球電子產業鏈過去幾年快速向國內轉移,全球 Memory 產品需求也快速向國內轉移。2014 年國內 Memory 產品市場規模已經超過了 200 億美元,并且未來幾年仍將保持高速增長,2018 年更是有望達到 430 億美元。

    對于 Memory 產業,無論是武漢新芯投資 240 億美金,或者是此前同方國芯投資 932 億元建廠僅僅只是萬里長征的第一步,發展國內 Memory 產業仍任重道遠。武漢新芯的 240 億美金和同方國芯的 932 億元人民幣,這一投資金額看上去非常巨大。但是與國際 Memory 巨頭資本支出相比,也并未拉開顯著差距。三星 2015 年一年規劃的資本支出就達到了 151 億美元。海力士與美光今年的資本支出規劃也分別有 51 億美元和 38 億美元。

    目前, 中芯國際 12 寸產能為 51,000 片/月,華力微大約為 20,000 片/月, 武漢新芯約為 20,000片/月。這意味從國內最初開始建造 12 寸晶圓廠,到現在十多年時間里,國內總共形成了91,000 片/月的產能??紤]三星去年剛剛投產的 10 萬片產能,目前國內 12 寸晶圓產能合計為 36.1 萬片/月。

    據上海新陽公告的大硅片項目測算,2020 年國內對12 寸硅片的需求將達到 100 萬片/ 月,更是當前國內產能的三倍。

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